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DF2B6.8M1ACT中文资料ESD protection diode (bi-directional type)数据手册Toshiba规格书
| 厂商型号 |
DF2B6.8M1ACT |
| 参数属性 | DF2B6.8M1ACT 封装/外壳为SOD-882；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为电路保护的TVS-二极管；DF2B6.8M1ACT应用范围：通用；产品描述：TVS DIODE 5VWM 20VC CST2 |
| 功能描述 | ESD protection diode (bi-directional type) |
| 封装外壳 | SOD-882 |
| 制造商 | Toshiba Toshiba Semiconductor |
| 中文名称 | 东芝 株式会社东芝 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-24 20:07:00 |
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DF2B6.8M1ACT规格书详情
描述 Description
Internal Connection：Single
Number of Circuits：1
Number of Protected Lines：1
configuration：Bidirectional
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：日本 / 泰国
特性 Features
Electrostatic discharge voltage(IEC61000-4-2) VESD +/-12 kV
技术参数
- 制造商编号
：DF2B6.8M1ACT
- 生产厂家
：Toshiba
- Package name
：SOD-882 (CST2)
- Width×Length×Height(mm)
：1.0 x 0.6 x 0.38
- Configuration
：Bidirectional
- ProtectedLines
：1
- Application
：USB3.0/DisplayPort1.2
- Working peakreverse voltageVRWM (Max) (V)
：+/-5.0
- ReversebreakdownvoltageVBR (Min) (V)
：6.0
- CT (Typ.) (pF)
：0.3
- CT (Max) (pF)
：0.5
- Electrostaticdischarge voltage(Based on IEC61000-4-2) (Max) (kV)
：+/-12
- Dynamicresistance(Typ.) (Ω)
：0.8
- ReversecurrentIR (Max) (μA)
：0.5
- Peak pulsecurrent (Max) (A)
：2.5
- Clamp voltage (Based on IEC61000-4-5) (Typ.) (V)
：12
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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