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DMN2005K	文件：246.18 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2005K	文件：396.96 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2005LPK	文件：130.59 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •ESDProtectedGate •Qual	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2005LPK	文件：209.63 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2005UFG	文件：518.289 Kbytes Page：7 Pages	QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2005UFGQ	文件：562.19 Kbytes Page：7 Pages	20VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowRDS(ON)—EnsuresOn-StateLossesareMinimized Small-FormFactorThermallyEfficientPackageEnablesHigher DensityEndProducts Occupies33oftheBoardAreaOccupiedbySO-8Enabling SmallerEndProduct 100UnclampedInductiveSwitching,TestinProduction— EnsuresMor	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2005UPS	文件：647.42 Kbytes Page：7 Pages	20VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP2005UFG	文件：392.52 Kbytes Page：7 Pages	20VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
E-2005	文件：104.48 Kbytes Page：1 Pages	SERIES2000UPRIGHTCABINETRACK	BUD Bud Industries, Inc.	BUD
EDS-2005-EL	文件：567.86 Kbytes Page：3 Pages	5-portentry-levelunmanagedEthernetswitches	moxaMOXA 台湾摩莎摩莎科技（上海）有限公司	moxa

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产品属性

产品编号：
DF2005-G
制造商：
Comchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 桥式整流器
包装：
散装
二极管类型：
Single Phase
技术：
标准
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
4-EDIP（0.321"，8.15mm）
供应商器件封装：
4-DF
描述：
BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A 4-DF

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DF2005-G供应商更新时间2025-6-10 17:41:00

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