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D882S	文件：207.77 Kbytes Page：5 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Power dissipation 文件：207.77 Kbytes 页数：5 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
D882S	文件：214.92 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES ● Power Dissipation 文件：214.92 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
D882S	文件：1.67112 Mbytes Page：5 Pages	丝印：D882Z；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Power dissipation 文件：1.67112 Mbytes 页数：5 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
D882SS	文件：60.1 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR FEATURES * High current output up to 3A * Low saturation voltage * Complement to 2SB772SS APPLICATIONS * Audio power amplifier * DC-DC convertor * Voltage regulator 文件：60.1 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
D882S-TA	文件：1.67112 Mbytes Page：5 Pages	丝印：D882Z；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Power dissipation 文件：1.67112 Mbytes 页数：5 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
D882-Y	文件：482.73 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor Features • Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • Capable of 1.25Watts of Power Dissipation. • Collector-current 3.0A • Collector-base Voltage 40V 文件：482.73 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
D882H	文件：1.58429 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors 文件：1.58429 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
D882M	文件：1.84953 Mbytes Page：3 Pages	TO-251-3L Plastic-Encapsulate Transistors 文件：1.84953 Mbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
D882M-G	文件：193.32 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Transistors 文件：193.32 Kbytes 页数：4 Pages	COMCHIP 典琦	COMCHIP
D882S	文件：214.92 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor 文件：214.92 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS

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晶体管资料

型号：
D882
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
NPN
性质：
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
10W
放大倍数：
图片代号：
A-20
vtest：
40
htest：
999900
atest：
3
wtest：
10

技术参数

Polarity：
NPN
PCM(W)：
1.25
IC(A)：
3
VCBO(V)：
40
VCEO(V)：
30
VEBO(V)：
6
hFEMin：
60
hFEMax：
400
hFE@VCE(V)：
2
hFE@IC(A)：
1
VCE(sat)(V)：
0.5
VCE(sat)@IC(A)：
2
VCE(sat)@IB(A)：
0.2
Package：
TO-126

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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