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D882M-G	文件：193.32 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Transistors	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
D882-O	文件：482.73 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Capableof1.25WattsofPowerDissipation. •Collector-current3.0A •Collector-baseVoltage40V	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
D882P	文件：129.4 Kbytes Page：3 Pages	BipolarJunctionTransistor FEATURES ●Featuresofgoodhightemperature ●Highswitchingspeed APPLICATION Charger、Emergencylampand Electrictoycontrolcircuit	JINGDAOShenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd 晶导深圳市晶导电子有限公司	JINGDAO
D882P	文件：268.44 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION The2SD882isNPNsilicontransistorsuitedfortheoutputstageof3 wattsaudioamplifier,voltageregulator,DC-DCconverterandrelay driver. FEATURES •Lowsaturationvoltage VCE(sat)=0.5VMAX.(IC=−2A,IB=0.2A) •ExcellenthFElinearityandhighhFE hFE=60to	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
D882PC	文件：123.77 Kbytes Page：3 Pages	BipolarJunctionTransistor FEATURES ●Featuresofgoodhightemperature ●Highswitchingspeed APPLICATION Charger、Emergencylampand Electrictoycontrolcircuit	JINGDAOShenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd 晶导深圳市晶导电子有限公司	JINGDAO
D882-R	文件：482.73 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Capableof1.25WattsofPowerDissipation. •Collector-current3.0A •Collector-baseVoltage40V	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
D882S	文件：214.92 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor NPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ●PowerDissipation	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
D882S	文件：207.77 Kbytes Page：5 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Powerdissipation	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
D882S	文件：214.92 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
D882S	文件：1.67112 Mbytes Page：5 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Powerdissipation	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

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