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D882	文件：1.17554 Mbytes Page：4 Pages	丝印：D882；Package：SOT-223；SOT-223 Plastic-Encapsulate Transistors Features Power Dissipation:1.5W Low Collector-emitter Saturation Voltage 文件：1.17554 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
D882	文件：397.43 Kbytes Page：2 Pages	TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power Dissipation 文件：397.43 Kbytes 页数：2 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
D882	文件：541.22 Kbytes Page：2 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Power dissipation 文件：541.22 Kbytes 页数：2 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
D882	文件：126.74 Kbytes Page：1 Pages	NPN TRANSISTOR FEATURES Power dissipation PCM: 500 mW (Tamb=25℃) Collector current ICM: 3 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 40 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：126.74 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
D882	文件：304.45 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Low saturation voltage. ● Excellent hFE linearity and high hFE. ● Less cramping space required due to small and thin Package and reducing the trouble for attachment to a radiator. APPLICATIONS ● Power amplifier application. 文件：304.45 Kbytes 页数：4 Pages	DSK	DSK
D882	文件：481.48 Kbytes Page：3 Pages	SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation Pb-Free package is available RoHS product for packing code suffix G Halogen free product for packing code suffix H 文件：481.48 Kbytes 页数：3 Pages	WILLAS 威伦电子	WILLAS
D882	文件：642.73 Kbytes Page：3 Pages	PNP Transistors Features ● Excellent hFE linearity and high hFE hFE = 60 to 400 (VCE = 2 V, IC = 1 A) 文件：642.73 Kbytes 页数：3 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
D882	文件：187.47 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Power dissipation MARKING:882 文件：187.47 Kbytes 页数：2 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
D882	文件：554.52 Kbytes Page：5 Pages	GENERAL PURPOSE TRANSISTORS NPN TRANSISTORS DESCRIPTION The D882 is available in SOT 89 Package FEATURES  Power dissipation  Availabl e in SOT 89 P ackage 文件：554.52 Kbytes 页数：5 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
D882	文件：64.04 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 1.25 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 3 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 40 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：64.04 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL

晶体管资料

型号：
D882
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
NPN
性质：
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
10W
放大倍数：
图片代号：
A-20
vtest：
40
htest：
999900
atest：
3
wtest：
10

技术参数

Polarity：
NPN
PCM(W)：
1.25
IC(A)：
3
VCBO(V)：
40
VCEO(V)：
30
VEBO(V)：
6
hFEMin：
60
hFEMax：
400
hFE@VCE(V)：
2
hFE@IC(A)：
1
VCE(sat)(V)：
0.5
VCE(sat)@IC(A)：
2
VCE(sat)@IB(A)：
0.2
Package：
TO-126

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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