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MJD45H11	文件：262.93 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •LowCollector-EmitterSaturationVoltage:VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=8A •FastSwitchingSpeeds •ComplementtoTypeMJD44H11 •DPAKforSurfaceMountApplications •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedfor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD45H11	文件：263.67 Kbytes Page：7 Pages	GateDriver Description: M57161L-01isahybridintegratedcircuitdesignedfordrivingPowerexF-SeriesIGBTmodules.Thisgatedriverconvertslogiclevelcontrolsignalsintohighcurrentgatedrivewithsuitableonandoffbiasvoltages.Electricalisolationoftheinputcontrolsignalisprovidedbyan	POWEREX Powerex Power Semiconductors	POWEREX
MJD45H11	文件：97.32 Kbytes Page：9 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD45H11	文件：132.35 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryPowerTransistorsSILICONPOWERTRANSISTORS8AMPERES	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD45H11	文件：301.84 Kbytes Page：2 Pages	Designedforgeneralpurposepowerandswitching	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
MJD45H11	文件：310.51 Kbytes Page：11 Pages	ComplementaryPowerTransistors Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputor driverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters, andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationinPlasticSleeves (NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD45H11	文件：241.7 Kbytes Page：12 Pages	80V,8APNPhighpowerbipolartransistor 1.Generaldescription PNPhighpowerbipolartransistorinapowerDPAK,TO-252(SOT428C)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. NPNcomplement:MJD44H11 2.Featuresandbenefits •Highthermalpowerdissipationcapability •Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration •Ele	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
MJD45H11	文件：342.97 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·LowCollector-EmitterSaturationVoltage :VCE(sat)=-1.0V(Max)@IC=-8A ·FastSwitchingSpeeds ·ComplementtoTypeMJD44H11 ·DPAKforSurfaceMountApplications APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposepoweramplificationand switchingsuchasoutputordriverstagesinap	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD45H11A	文件：242.38 Kbytes Page：12 Pages	80V,8APNPhighpowerbipolartransistor 1.Generaldescription PNPhighpowerbipolartransistorinapowerDPAK,TO-252(SOT428C)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. NPNcomplement:MJD44H11A 2.Featuresandbenefits •Highthermalpowerdissipationcapability •Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration •El	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
MJD45H11G	文件：97.32 Kbytes Page：9 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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