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KSH45H11ITU	文件：168.86 Kbytes Page：6 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Description General-purposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationsD-PAKforsurfacemountapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplication(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I”Suffix) •ElectricallySimilartoPopularKSE45H •FastSwitchi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSH45H11TF	文件：168.86 Kbytes Page：6 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Description General-purposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationsD-PAKforsurfacemountapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplication(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I”Suffix) •ElectricallySimilartoPopularKSE45H •FastSwitchi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSH45H11TM	文件：168.86 Kbytes Page：6 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Description General-purposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationsD-PAKforsurfacemountapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplication(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I”Suffix) •ElectricallySimilartoPopularKSE45H •FastSwitchi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJB45H11	文件：64.26 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistorsD2PAKforSurfaceMount	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJB45H11	文件：75.98 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistors ComplementaryPowerTransistors D2PAKforSurfaceMount Complementarypowertransistorsareforgeneralpurposepoweramplificationandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,convertersandpoweramplifiers. Features •LowCollector−EmitterSatu	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJB45H11	文件：240.33 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •LowCollector-Emittersaturationvoltage •Pb-freepackageareavailable •Fastswitchingspeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Generalpurposeamplificationandswitchingsuchasoutor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJB45H11	文件：184.81 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPowerTransistorsD2PAKforSurfaceMount Complementarypowertransistorsareforgeneralpurposepower amplificationandswitchingsuchasoutputordriverstagesin applicationssuchasswitchingregulators,convertersandpower amplifiers. Features •LowCollector−EmitterSaturationVoltage− VCE(sat)=1.0V(Max)@8.0A •F	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJB45H11G	文件：115.99 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJB45H11G	文件：64.26 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistorsD2PAKforSurfaceMount	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJB45H11G	文件：184.81 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPowerTransistorsD2PAKforSurfaceMount Complementarypowertransistorsareforgeneralpurposepower amplificationandswitchingsuchasoutputordriverstagesin applicationssuchasswitchingregulators,convertersandpower amplifiers. Features •LowCollector−EmitterSaturationVoltage− VCE(sat)=1.0V(Max)@8.0A •F	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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