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D3V3XS4B10LP	文件：360.97 Kbytes Page：4 Pages	4 CHANNEL LOW CAPACITANCE TVS DIODE ARRAY Features ClampingVoltage:11.2Vat16ATLP IEC61000-4-2(ESD):Air—±8kV,Contact—±8kV IEC61000-4-5(Lightning):3.5A(8/20μs) 4ChannelsofESDProtection Ultra-lowChannelInputCapacitanceof0.23pFTypical TLPDynamicResistance:0.55Ω TotallyLead-Free&FullyRoHS	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
D3V3XS4B10LP-7	文件：360.97 Kbytes Page：4 Pages	Marking：MW7；Package：U-DFN2510-10；4 CHANNEL LOW CAPACITANCE TVS DIODE ARRAY Features ClampingVoltage:11.2Vat16ATLP IEC61000-4-2(ESD):Air—±8kV,Contact—±8kV IEC61000-4-5(Lightning):3.5A(8/20μs) 4ChannelsofESDProtection Ultra-lowChannelInputCapacitanceof0.23pFTypical TLPDynamicResistance:0.55Ω TotallyLead-Free&FullyRoHS	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
D3V3XS4B10LP-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：10-UFDFN；包装：卷带（TR）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 3.3VWM 11.2VC 10DFN	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM

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4 CHANNEL LOW CAPACITANCE TVS DIODE ARRAY

Features ClampingVoltage:11.2Vat16ATLP IEC61000-4-2(ESD):Air—±8kV,Contact—±8kV IEC61000-4-5(Lightning):3.5A(8/20μs) 4ChannelsofESDProtection Ultra-lowChannelInputCapacitanceof0.23pFTypical TLPDynamicResistance:0.55Ω TotallyLead-Free&FullyRoHS

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

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Marking：MW7；Package：U-DFN2510-10；4 CHANNEL LOW CAPACITANCE TVS DIODE ARRAY

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

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文件：100 bytes

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Package：10-UFDFN；包装：卷带（TR）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 3.3VWM 11.2VC 10DFN

PAMDiodes Incorporated

龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司

PAM

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深圳庞田科技有限公司	D3V3XS4B10LP-7	DIODES/美台	2023+	UDFN251010	48000	AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站	询价
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