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D3V3XA4B10LP	文件：476.73 Kbytes Page：6 Pages	4 CHANNEL LOW CAPACITANCE TVS DIODE ARRAY Features ClampingVoltage:9.4Vat16ATLP IEC61000-4-2(ESD):Air—±12kV,Contact—±12kV IEC61000-4-5(Lightning):4.0A(8/20µs) 4ChannelsofESDProtection Ultra-LowChannelInputCapacitanceof0.35pFMax TLPDynamicResistance:0.39Ω TotallyLead-Free&FullyRoHSCompl	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
D3V3XA4B10LP-7	文件：476.73 Kbytes Page：6 Pages	4 CHANNEL LOW CAPACITANCE TVS DIODE ARRAY Features ClampingVoltage:9.4Vat16ATLP IEC61000-4-2(ESD):Air—±12kV,Contact—±12kV IEC61000-4-5(Lightning):4.0A(8/20µs) 4ChannelsofESDProtection Ultra-LowChannelInputCapacitanceof0.35pFMax TLPDynamicResistance:0.39Ω TotallyLead-Free&FullyRoHSCompl	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
D3V3XA4B10LP-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：10-UFDFN 类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 3.3VWM 9.4VC 10DFN	PAMDiodes Incorporated 龙鼎威	PAM

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4 CHANNEL LOW CAPACITANCE TVS DIODE ARRAY

Features ClampingVoltage:9.4Vat16ATLP IEC61000-4-2(ESD):Air—±12kV,Contact—±12kV IEC61000-4-5(Lightning):4.0A(8/20µs) 4ChannelsofESDProtection Ultra-LowChannelInputCapacitanceof0.35pFMax TLPDynamicResistance:0.39Ω TotallyLead-Free&FullyRoHSCompl

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

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达尔科技

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D3V3XA4B10LP-7

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包装：卷带（TR）封装/外壳：10-UFDFN 类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 3.3VWM 9.4VC 10DFN

PAMDiodes Incorporated

龙鼎威

PAM

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北京京北通宇电子元件有限公司	D3V3XA4B10LP	DIODES INCORPORATED	23+	NA	159	瞬态抑制二极管	询价
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更多D3V3XA4B10LP供应商更新时间2024-6-9 15:00:00

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