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D3V3XA4B10LP-TP	文件：1.41688 Mbytes Page：4 Pages	4-Line Ultra Low Capacitance TVS Diode Array Features «Ultralowcapacitance:0.25pFtypical(I0/to1/0) «+Lowoperatingvoltage:3.3V «Lowclampingvoltage +Upto4linesprotects «Leadlessflow-throughpackage +Complieswithfollowingstandards: *_IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:£20kV/ Contactdischarge:£15	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
D3V3XA4B10LP	文件：476.73 Kbytes Page：6 Pages	4CHANNELLOWCAPACITANCETVSDIODEARRAY Features ClampingVoltage:9.4Vat16ATLP IEC61000-4-2(ESD):Air—±12kV,Contact—±12kV IEC61000-4-5(Lightning):4.0A(8/20µs) 4ChannelsofESDProtection Ultra-LowChannelInputCapacitanceof0.35pFMax TLPDynamicResistance:0.39Ω TotallyLead-Free&FullyRoHSCompl	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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4-Line Ultra Low Capacitance TVS Diode Array

Features «Ultralowcapacitance:0.25pFtypical(I0/to1/0) «+Lowoperatingvoltage:3.3V «Lowclampingvoltage +Upto4linesprotects «Leadlessflow-throughpackage +Complieswithfollowingstandards: *_IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:£20kV/ Contactdischarge:£15

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

台舟电子台舟电子股份有限公司

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4CHANNELLOWCAPACITANCETVSDIODEARRAY

Features ClampingVoltage:9.4Vat16ATLP IEC61000-4-2(ESD):Air—±12kV,Contact—±12kV IEC61000-4-5(Lightning):4.0A(8/20µs) 4ChannelsofESDProtection Ultra-LowChannelInputCapacitanceof0.35pFMax TLPDynamicResistance:0.39Ω TotallyLead-Free&FullyRoHSCompl

DIODESDiodes Incorporated

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