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D30V0S1U3LP20	文件：498.37 Kbytes Page：5 Pages	1 CHANNEL HIGH SURGE TVS DIODE Features  Provides ESD Protection per IEC 61000-4-2 Standard: Air ±30kV, Contact ±30kV  One Channel of ESD Protection  Low Channel Input Capacitance  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive applications 文件：498.37 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
D30V0S1U3LP20	文件：300 bytes Page：1 Pages	1 CHANNEL HIGH SURGE TVS DIODE This new generation TVS is designed to protect sensitive electronics from the damage due to ESD. The combination of small size and high ESD surge capability makes it ideal for use in portable applications such as cellular phones, digital cameras, and MP3 players.	Diodes 美台半导体	Diodes
D30V0S1U3LP20-7	文件：498.37 Kbytes Page：5 Pages	丝印：9N；Package：U-DFN2020-3；1 CHANNEL HIGH SURGE TVS DIODE Features  Provides ESD Protection per IEC 61000-4-2 Standard: Air ±30kV, Contact ±30kV  One Channel of ESD Protection  Low Channel Input Capacitance  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive applications 文件：498.37 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
D31N-032768-3D1C420	文件：0 bytes Page：0 Pages	3215 12.5PF	安碁上传：深圳市睿芯铭科技有限公司	安碁
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技术参数

Maximum Peak Pulse Current IPP @ 8x20±s Max：
62
AEC Qualified：
Yes
Configuration：
Uni-Directional
Channel Input CapacitanceCT Typ(pF)：
387 pF
Reverse Standoff Voltage VRWM(V)：
30 V
Breakdown VoltageVBR Min(V)：
32 V
Typ Reverse Leakage Current IR @ VRWM Max(µA)：
200 µA
Maximum Clamping Voltage @ MaxPeak Pulse CurrentVC(V)：
52 V
VESD IEC61000-4-2 Contact Discharge(kV)：
30 kV
Packages：
U-DFN2020-3 (Type C)

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深圳市乾能惠电子有限公司	D30V0S1U3LP20-7	DIODES/美台	24+	N/A	500000	美台原厂超低价支持	询价
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更多D30V0S1U3LP20供应商更新时间2025-11-21 14:03:00

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