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D2024UK	文件：20.35 Kbytes Page：2 Pages	METAL GATE RF SILICON FET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
DF2024	文件：41.23 Kbytes Page：2 Pages	FlapperTypeSOLENOIDSDF2024Series	SHINMEIShinmei Electronic Co.,Ltd. 神明电机日本神明电机株式会社	SHINMEI
DMN2024U	文件：424.34 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET FeaturesandBenefits •LowOn-Resistance •Low-InputCapacitance •FastSwitchingSpeed •ESDProtectedGate •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) DescriptionandApplications ThisMOSFETisdesignedtominimizethe	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN2024UDH	文件：676.99 Kbytes Page：7 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET DescriptionandApplications ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance (RDS(ON))yetmaintainsuperiorswitchingperformance,whichmakesit idealforhigh-efficiencypowermanagementapplications. FeaturesandBenefits LowOn-Resistance LowInputCapacitance Fast	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN2024UFDF	文件：482.95 Kbytes Page：8 Pages	20VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Description ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance (RDS(ON))yetmaintainsuperiorswitchingperformance,whichmakesit idealforhigh-efficiencypowermanagementapplications. Applications BatteryManagementApplication PowerManagementFunctions DC-DCConvert	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN2024UFU	文件：480.24 Kbytes Page：7 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowGateThresholdVoltage LowOn-Resistance ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveapplicationsrequiringspecificchangecontrol (i.e.partsqualifiedtoAEC-Q100/101/	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN2024UFX	文件：651.83 Kbytes Page：7 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage ESDProtected TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveapplicationsrequiringspecificchangecontr	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN2024UQ	文件：595.78 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowOn-Resistance Low-InputCapacitance FastSwitchingSpeed ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) TheDMN2024UQissuitableforautomotiveapplications requiringspecificchangec	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN2024UTS	文件：397.85 Kbytes Page：7 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowGateThresholdVoltage LowOn-Resistance ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveapplicationsrequiringspecificchangecontrol (i.e.partsqualifiedtoAEC-Q100/101/	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN2024UVT	文件：535.5 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Description ThisnewgenerationMOSFETisdesignedtominimizetheon-state resistance(RDS(ON))yetmaintainsuperiorswitchingperformance, whichmakesitidealforhigh-efficiencypowermanagement applications. Applications Backlighting DC-DCConverters PowerManagementFunctions F	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

详细参数

型号：
D2024
制造商：
SEME-LAB
制造商全称：
Seme LAB
功能描述：
METAL GATE RF SILICON FET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多D2024供应商更新时间2025-5-18 16:30:00

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