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CY7C1911KV18	文件：1.22429 Mbytes Page：33 Pages	18-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture Functional Description The CY7C1311KV18, CY7C1911KV18, CY7C1313KV18, and CY7C1315KV18 are 1.8 V Synchronous Pipelined SRAMs, equipped with QDR II architecture. QDR II architecture consists of two separate ports: the read port and the write port to access the memory array. The read port has dedica 文件：1.22429 Mbytes 页数：33 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1911KV18-250BZC	文件：1.22429 Mbytes Page：33 Pages	18-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture Functional Description The CY7C1311KV18, CY7C1911KV18, CY7C1313KV18, and CY7C1315KV18 are 1.8 V Synchronous Pipelined SRAMs, equipped with QDR II architecture. QDR II architecture consists of two separate ports: the read port and the write port to access the memory array. The read port has dedica 文件：1.22429 Mbytes 页数：33 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1911KV18-250BZXC	文件：1.22429 Mbytes Page：33 Pages	18-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture Functional Description The CY7C1311KV18, CY7C1911KV18, CY7C1313KV18, and CY7C1315KV18 are 1.8 V Synchronous Pipelined SRAMs, equipped with QDR II architecture. QDR II architecture consists of two separate ports: the read port and the write port to access the memory array. The read port has dedica 文件：1.22429 Mbytes 页数：33 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1911KV18-300BZC	文件：1.22429 Mbytes Page：33 Pages	18-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture Functional Description The CY7C1311KV18, CY7C1911KV18, CY7C1313KV18, and CY7C1315KV18 are 1.8 V Synchronous Pipelined SRAMs, equipped with QDR II architecture. QDR II architecture consists of two separate ports: the read port and the write port to access the memory array. The read port has dedica 文件：1.22429 Mbytes 页数：33 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1911KV18-300BZXC	文件：1.22429 Mbytes Page：33 Pages	18-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture Functional Description The CY7C1311KV18, CY7C1911KV18, CY7C1313KV18, and CY7C1315KV18 are 1.8 V Synchronous Pipelined SRAMs, equipped with QDR II architecture. QDR II architecture consists of two separate ports: the read port and the write port to access the memory array. The read port has dedica 文件：1.22429 Mbytes 页数：33 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1911KV18-333BZC	文件：1.22429 Mbytes Page：33 Pages	18-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture Functional Description The CY7C1311KV18, CY7C1911KV18, CY7C1313KV18, and CY7C1315KV18 are 1.8 V Synchronous Pipelined SRAMs, equipped with QDR II architecture. QDR II architecture consists of two separate ports: the read port and the write port to access the memory array. The read port has dedica 文件：1.22429 Mbytes 页数：33 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1911KV18-250BZC_12	文件：1.36522 Mbytes Page：32 Pages	18-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture 文件：1.36522 Mbytes 页数：32 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1911KV18-250BZXC_12	文件：1.36522 Mbytes Page：32 Pages	18-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture 文件：1.36522 Mbytes 页数：32 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1911KV18-300BZC_12	文件：1.36522 Mbytes Page：32 Pages	18-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture 文件：1.36522 Mbytes 页数：32 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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技术参数

合格汽车：
否
突发长度（字）：
4
密度 (Kb)：
18432
Density (Mb)：
18
频率 (MHz)：
250
最高工作温度 (°C)：
70
Max. Operating VCCQ (V)：
1.90
最高工作电压 (V)：
1.90
最低工作温度 (°C)：
0
Min. Operating VCCQ (V)：
1.40
最低工作电压 (V)：
1.70
组织 (X x Y)：
2Mb x 9
Part Family：
QDR-II
Tape & Reel：
否
温度分类：
商用

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