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CY7C1911KV18-333BZC_12

18-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture

文件:1.36522 Mbytes 页数:32 Pages

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1911KV18-250BZCT

Memories for Embedded Systems - Synchronous SRAMs - QDR-II -

Infineon

英飞凌

CY7C1911KV18-300BZXC

同步 SRAM

Infineon

英飞凌

CY7C1911KV18-333BZC

同步 SRAM

Infineon

英飞凌

CY7C1911KV18-250BZCT

Package:165-LBGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1911KV18-250BZXC

Package:165-LBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1911KV18-300BZC

Package:165-LBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

技术参数

  • 合格汽车:

  • 突发长度(字):

    4

  • 密度 (Kb):

    18432

  • Density (Mb):

    18

  • 频率 (MHz):

    250

  • 最高工作温度 (°C):

    70

  • Max. Operating VCCQ (V):

    1.90

  • 最高工作电压 (V):

    1.90

  • 最低工作温度 (°C):

    0

  • Min. Operating VCCQ (V):

    1.40

  • 最低工作电压 (V):

    1.70

  • 组织 (X x Y):

    2Mb x 9

  • Part Family:

    QDR-II

  • Tape & Reel:

  • 温度分类:

    商用

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更多CY7C1911KV18供应商 更新时间2025-12-12 14:28:00