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CY7C1170KV18	文件：874.79 Kbytes Page：29 Pages	18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) 文件：874.79 Kbytes 页数：29 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1170KV18-400BZC	文件：874.79 Kbytes Page：29 Pages	18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) 文件：874.79 Kbytes 页数：29 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1170KV18-400BZXC	文件：874.79 Kbytes Page：29 Pages	18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) 文件：874.79 Kbytes 页数：29 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1170KV18-450BZXC	文件：874.79 Kbytes Page：29 Pages	18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) 文件：874.79 Kbytes 页数：29 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1170KV18-550BZC	文件：874.79 Kbytes Page：29 Pages	18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) 文件：874.79 Kbytes 页数：29 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1170KV18-400BZC	文件：300 bytes Page：1 Pages	双倍数据速率 (DDR) 同步 SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C1170KV18-450BZXC	文件：300 bytes Page：1 Pages	双倍数据速率 (DDR) 同步 SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C1170KV18-550BZC	文件：300 bytes Page：1 Pages	双倍数据速率 (DDR) 同步 SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C1170KV18-400BZXC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-LBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1170KV18-450BZXC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-LBGA；包装：散装类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

技术参数

Density：
18 MBit
Peak Reflow Temp：
220 °C
Operating Temperature：
0 °C to 70 °C
Operating Voltage：
1.7 V to 1.9 V
Lead Ball Finish：
Sn/Pb
Interfaces：
Parallel
Data Width：
x 36
Architecture：
DDR-II+ CIO
On-Die Termination：
N
Family：
DDR-II+ CIO
Organization (X x Y)：
512Kb x 36
Burst Length(Words)：
2
Qualification：
Commercial
Read Latency (Cycles)：
2.5
Bank Switching：
N
Frequency：
400 MHz

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