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CY7C1170KV18-450BZXC

双倍数据速率 (DDR) 同步 SRAM

Infineon

英飞凌

CY7C1170KV18-450BZXC

18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

文件:874.79 Kbytes 页数:29 Pages

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1170KV18-450BZXC

Package:165-LBGA;包装:散装 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1243KV18-450BZC

CYPRESS(赛普拉斯)
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CYPRESS(赛普拉斯)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

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CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

上传:深圳市科恒伟业电子有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    CY7C1170KV18-450BZXC

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    散装

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,DDR II+

  • 存储容量:

    18Mb(512K x 36)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    165-LBGA

  • 供应商器件封装:

    165-FBGA(13x15)

  • 描述:

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

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更多CY7C1170KV18-450BZXC供应商 更新时间2025-10-10 16:20:00