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CY7C1170KV18-400BZC中文资料双倍数据速率 (DDR) 同步 SRAM数据手册Infineon规格书

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厂商型号

CY7C1170KV18-400BZC

参数属性

CY7C1170KV18-400BZC 封装/外壳为165-LBGA;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

功能描述

双倍数据速率 (DDR) 同步 SRAM

封装外壳

165-LBGA

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-27 14:21:00

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CY7C1170KV18-400BZC价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

技术参数

  • 制造商编号

    :CY7C1170KV18-400BZC

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Density

    :18 MBit

  • Peak Reflow Temp

    :220 °C

  • Operating Temperature

    :0 °C to 70 °C

  • Operating Voltage

    :1.7 V to 1.9 V

  • Lead Ball Finish

    :Sn/Pb

  • Interfaces

    :Parallel

  • Data Width

    :x 36

  • Architecture

    :DDR-II+ CIO

  • On-Die Termination

    :N

  • Family

    :DDR-II+ CIO

  • Organization (X x Y)

    :512Kb x 36

  • Burst Length(Words)

    :2

  • Qualification

    :Commercial

  • Read Latency (Cycles)

    :2.5

  • Bank Switching

    :N

  • Frequency

    :400 MHz

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