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CXT5551	文件：300 bytes Page：1 Pages	中等功率双极型晶体管	MCC 美微科	MCC
CXT5551E	文件：127.17 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT5551E is an NPN Silicon Transistor, packaged in an SOT-89 case, designed for general purpose amplifier applications requiring high breakdown voltage. FEATURES: • High Collector Breakdown Voltage 250V • Low Leakage Current 50nA Max • Low Saturation Vol 文件：127.17 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CXT5551HC	文件：121.14 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT HIGH CURRENT SILICON NPN TRANSISTOR DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT5551HC type is an high current NPN silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high voltage and high current amplifier applications. 文件：121.14 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CXT5551_10	文件：290.8 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR 文件：290.8 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CXT5551_14	文件：369.87 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistors 文件：369.87 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
CXT5551_15	文件：1.03138 Mbytes Page：2 Pages	NPN Transistors 文件：1.03138 Mbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
CXT5551_15	文件：290.8 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR 文件：290.8 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CXT5551E_15	文件：296.82 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR 文件：296.82 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CXT5551HC_10	文件：289.5 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR 文件：289.5 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CXT5551HC_15	文件：289.5 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR 文件：289.5 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL

晶体管资料

型号：
CXT5551
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
射频/高频放大（HF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
150V
最大电流允许值：
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
CZT5551,
最大耗散功率：
1.2W
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
150
htest：
100000000
atest：
0
wtest：
1.2

技术参数

Polarity：
NPN
PCM(W)：
0.5
IC(A)：
0.6
VCBO(V)：
180
VCEO(V)：
160
VEBO(V)：
6
hFEMin：
80
hFEMax：
300
hFE@VCE(V)：
5
hFE@IC(A)：
0.01
VCE(sat)(V)：
0.2
VCE(sat)@IC(A)：
0.05
VCE(sat)@IB(A)：
0.005
Package：
SOT-89-3L

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