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CXT5551	文件：100.75 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT5551 type is an NPN silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high voltage amplifier applications. 文件：100.75 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CXT5551	文件：309.42 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistors Features ● Halogen free available upon request by adding suffix -HF ● Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) ● Power Dissipation: PCM=0.5W (Tamb=25°C) ● Collector Current: ICM=0.6A ● Collector-Base Voltage: V(BR)CBO=180V ● Marking 文件：309.42 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
CXT5551	文件：911.52 Kbytes Page：4 Pages	丝印：1G6；Package：SOT-89-3L；SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors Features Switching and amplification in high voltage Applications such as telephony Low current(max. 600mA) High voltage(max.180V) 文件：911.52 Kbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
CXT5551	文件：285.83 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES • Switching and amplification in high voltage Applications such as telephony • Low current(max. 600mA) • High voltage(max.180v) 文件：285.83 Kbytes 页数：2 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
CXT5551	文件：5.71392 Mbytes Page：4 Pages	NPN Switching Transistor Features \| e Switching and amplification in high voltage \| Applications such as telephony \| e Low current(max. 600mA) \| e High voltage(max.180V) \| 文件：5.71392 Mbytes 页数：4 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
CXT5551	文件：193.01 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Switching and amplification in high voltage. ● Low current(max. 600mA) ● High voltage (max. 180V) APPLICATIONS ● High voltage amplifier application. 文件：193.01 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
CXT5551	文件：737.17 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Switching and amplification in high voltage Applications such as telephony ● Low current(max. 600mA) ● High voltage(max.180v) 文件：737.17 Kbytes 页数：2 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
CXT5551	文件：369.87 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistors 文件：369.87 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
CXT5551	文件：300 bytes Page：1 Pages	160V,0.6A,General Purpose NPN Bipolar Transistor	Galaxy 银河微电	Galaxy
CXT5551	文件：300 bytes Page：1 Pages	三极管	Haochang 浩畅	Haochang

晶体管资料

型号：
CXT5551
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
射频/高频放大（HF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
150V
最大电流允许值：
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
CZT5551,
最大耗散功率：
1.2W
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
150
htest：
100000000
atest：
0
wtest：
1.2

技术参数

Polarity：
NPN
PCM(W)：
0.5
IC(A)：
0.6
VCBO(V)：
180
VCEO(V)：
160
VEBO(V)：
6
hFEMin：
80
hFEMax：
300
hFE@VCE(V)：
5
hFE@IC(A)：
0.01
VCE(sat)(V)：
0.2
VCE(sat)@IC(A)：
0.05
VCE(sat)@IB(A)：
0.005
Package：
SOT-89-3L

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更多CXT5551供应商更新时间2026-4-21 20:36:00

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