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CXT5551分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

CXT5551
厂商型号

CXT5551

参数属性

CXT5551 封装/外壳为TO-243AA;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 220V 0.6A SOT89

功能描述

SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTORS
TRANS NPN 220V 0.6A SOT89

封装外壳

TO-243AA

文件大小

100.75 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Central Semiconductor Corp
企业简称

CENTRAL

中文名称

美国中央半导体官网

原厂标识
CENTRAL
数据手册

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更新时间

2025-8-4 14:36:00

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CXT5551规格书详情

CXT5551属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由美国中央半导体制造生产的CXT5551晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT5551 type is an NPN silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high voltage amplifier applications.

产品属性

更多
  • 产品编号:

    CXT5551E BK

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    100mV @ 5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 10mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    300MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-89

  • 描述:

    TRANS NPN 220V 0.6A SOT89

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CJ原装长电
24+
SOT-89
11000
原装正品 有挂有货 假一赔十
询价
CJ/长电/长晶
24+
SOT-89
8000
原装,正品
询价
CJ原装长电
21+
SOT-89
211727
原装现货假一赔十
询价
CENTRAL
24+
SOT-89
98200
新进库存/原装
询价
CENTRAL
23+
SOT89
63000
原装正品现货
询价
CENTRALSEMI
24+/25+
4648
原装正品现货库存价优
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CJ/长电
21+
SOT-89
51340
原装正品
询价
LMSEMI/砺马
23+
SOT89
30000
原装现货
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CJ/长电
24+
SOT-89
50000
只做原装,欢迎询价,量大价优
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MCC/美微科
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20300
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