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CXT5551E

ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR

DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT5551E is an NPN Silicon Transistor, packaged in an SOT-89 case, designed for general purpose amplifier applications requiring high breakdown voltage. FEATURES: • High Collector Breakdown Voltage 250V • Low Leakage Current 50nA Max • Low Saturation Vol

文件:127.17 Kbytes 页数:2 Pages

Central

CXT5551E_15

SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR

文件:296.82 Kbytes 页数:2 Pages

Central

CXT5551E

Surface mount Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage

Central

CXT5551E BK

Package:TO-243AA;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 220V 0.6A SOT89

Central

CXT5551E TR

Package:TO-243AA;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 220V 0.6A SOT89

Central

技术参数

  • Case:

    SOT-89 (TO-243AA)

  • Configuration/ Description:

    NPN High Voltage

  • Polarity:

    NPN

  • IC MAX:

    600mA

  • PD MAX:

    1.2W

  • VCEO MAX:

    220V

  • hFE MIN:

    120

  • hFE MAX:

    300

  • @VCE:

    5V

  • VCE(SAT) MAX:

    75mV

  • @IC:

    10mA

  • @IB:

    1mA

  • Cob MAX:

    6pF

  • fT MIN:

    100MHz

  • NF MAX:

    8dB

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更多CXT5551E供应商 更新时间2025-12-15 14:01:00