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CSD97396Q4M中文资料30A 同步降压 NexFET 功率级数据手册TI规格书

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厂商型号

CSD97396Q4M

参数属性

CSD97396Q4M 封装/外壳为8-PowerVFDFN;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的全半桥驱动器;CSD97396Q4M应用范围:同步降压转换器;产品描述:IC NEXFET SYNC BUCK 8VSON

功能描述

30A 同步降压 NexFET 功率级
IC NEXFET SYNC BUCK 8VSON

封装外壳

8-PowerVFDFN

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器

数据手册

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更新时间

2025-11-23 18:00:00

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CSD97396Q4M规格书详情

描述 Description

CSD97396Q4M NexFET功率级的设计经过高度优化,适用于高功率、高密度同步降压转换器。这个产品集成了驱动器集成电路 (IC) 和 NexFET 技术来完善功率级开关功能。此驱动器 IC 具有一个内置可选二极管仿真功能,此功能可启用断续传导模式 (DCM) 运行来提升轻负载效率。此外,驱动器 IC 支持 ULQ 模式,此模式支持针对 Windows8 的联网待机功能。借助于三态 PWM 输入,静态电流可减少至 130μA,并支持立即响应。当 SKIP# 保持在三态时,电流可减少至 8µA(恢复切换通常需要 20µs)。这个组合在小型 3.5 x 4.5mm 外形尺寸封装中实现具有高电流、高效和高速开关功能的器件。此外,印刷电路板 (PCB) 封装已经过优化,可帮助减少设计时间并简化总体系统设计的完成。

特性 Features

• 15A 电流下超过 93% 的系统效率
• 最大额定持续电流 30A,峰值 65A
• 高频运行(高达 2MHz)
• 高密度 – 3.5mm × 4.5mm 小外形尺寸无引线封装 (SON) 尺寸
• 超低电感封装
• 系统优化的 PCB 封装
• 超低静态 (ULQ) 电流模式
• 与 3.3V 和 5V 脉宽调制 (PWM) 信号兼容
• 支持强制连续传导模式 (FCCM) 的二极管仿真模式
• 输入电压高达 24V
• 三态 PWM 输入
• 集成型自举二极管
• 击穿保护
• 符合 RoHS 绿色环保标准-无铅引脚镀层
• 无卤素

应用 Application

超级本/笔记本DC/DC转换器
多相Vcore和DDR解决方案
在网络互联、电信、和计算系统中的负载点同步降压

简介

CSD97396Q4M属于集成电路(IC)的全半桥驱动器。由TI制造生产的CSD97396Q4M全半桥驱动器器件属于电桥驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 系列,包含两个或多个功率晶体管,以及在外部器件控制下将其用作开关所需的电路。这些晶体管通常在内部配置为成对串联连接(称为半桥),因而任意指定晶体管对之间的结点都可以连接至两个电源轨中的任一个。这类器件常用于将控制器件(如微控制器)提供的低电平信号转换为操作执行器(如步进电机或无刷电机)所需的较大功率信号。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :CSD97396Q4M

  • 生产厂家

    :TI

  • Power loss (W)

    :2

  • Ploss current (A)

    :15

  • Configuration

    :PowerStage

  • ID - continuous drain current at Ta=25degC (A)

    :30

  • Package (mm)

    :SON 3.5x4.5 PowerStage

  • Operating temperature range (C)

    :-40 to 150

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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