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CSD87331Q3D中文资料采用 3mm x 3mm SON 封装的 15A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块数据手册TI规格书
CSD87331Q3D规格书详情
描述 Description
CSD87331Q3D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案，能够以 3.3mm × 3.3mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化，可提供一套灵活的解决方案，在与来自外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时，均可提供高密度电源。
特性 Features
• 半桥电源块
• VIN 高达 27V
• 高达 15A 的运行电流
• 10A 电流时系统效率为 91%
• 高频运行（高达 1.5MHz）
• 高密度 3.3mm × 3.3mm SON 封装
• 针对 5V 栅极驱动进行了优化
• 开关损耗较低
• 超低电感封装
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 无铅引脚镀层
技术参数
- 制造商编号
：CSD87331Q3D
- 生产厂家
：TI
- VDS (V)
：30
- Power loss (W)
：1.3
- Ploss current (A)
：10
- ID - continuous drain current at Ta=25degC (A)
：15
- Operating temperature range (C)
：-55 to 150
- Features
：Power supply
- Duty cycle (%)
：Low
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI(德州仪器) |
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SON8 |
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