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CSD87330Q3D中文资料采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块数据手册TI规格书
CSD87330Q3D规格书详情
描述 Description
CSD87330Q3D NexFET 电源块是面向同步降压应用的优化设计，能够以 3.3 毫米 × 3.3 毫米的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。当与来自外部控制器/驱动的任一 5 V栅极驱动器成对使用时，此产品提供一个灵活的解决方案以提供高密度电源，因此此产品为 5 V栅极驱动应用提供最优解决方案。 该产品针对 5V 栅极驱动应用进行了优化，可提供高度灵活的解决方案，在与外部控制器/驱动器的任何 5V 栅极驱动配合使用时，均可提供高密度电源。
特性 Features
• 半桥式电源块
• 高达 27 V VIN
• 在 15 A 电流下可实现 91% 的系统效率
• 高达 20 A 的工作电流
• 高频率工作（高达 1.5MHz）
• 高密度 — SON 3.3-mm × 3.3-mm 封装
• 针对 5V 栅极驱动进行了优化
• 低开关损耗
• 超低电感封装
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 无铅终端电镀
技术参数
- 制造商编号
：CSD87330Q3D
- 生产厂家
：TI
- VDS (V)
：30
- Power loss (W)
：2
- Ploss current (A)
：15
- ID - continuous drain current at Ta=25degC (A)
：20
- Operating temperature range (C)
：-55 to 150
- Features
：Power supply
- Duty cycle (%)
：Low
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
25+ |
QFN |
20 |
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TI |
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QFN |
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TI |
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SON8 |
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TI |
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SON8 |
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TI/德州仪器 |
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TI/德州仪器 |
LSON8 |
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TI/德州仪器 |
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TI |
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LSON8 |
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TI/德州仪器 |
23+ |
LSON8 |
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原厂原装 |
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