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100V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件:882.06 Kbytes 页数:14 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
CSD19536KTT 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件:852.94 Kbytes 页数:14 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
100V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件:882.06 Kbytes 页数:14 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
采用 TO-220 封装的单路、2.7mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 这款 100V,2.3mΩ,TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。 • 超低 Qg 和 Qgd\n• 低热阻\n• 雪崩额定值\n• 无铅引脚镀层\n• 符合 RoHS 环保标准\n• 无卤素\n• 晶体管 (TO)-220 塑料封装; | TI 德州仪器 | TI | ||
采用 D2PAK 封装的单路、2.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 这款 100V、2mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的 损耗。 • 超低 Qg 和 Qgd\n• 低热阻\n• 雪崩级\n• 无铅引脚镀层\n• 符合 RoHS 环保标准\n• 无卤素\n• D2PAK 塑料封装; | TI 德州仪器 | TI |
技术参数
- Configuration:
Single
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms):
2.7
- IDM - pulsed drain current (Max) (A):
400
- QG typ (nC):
118
- QGD typ (nC):
17
- Package (mm):
TO-220
- VGS (V):
20
- VGSTH typ (V):
2.5
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A):
259
- ID - package limited (A):
150
- Logic level:
No
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
21+ |
TO-220 |
5000 |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
22+ |
TO220 |
6000 |
原装正品 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
25+ |
TO-220(TO-220-3) |
4987 |
强势库存!绝对原装公司现货! |
询价 | ||
TI |
16+ |
TO-220 |
105 |
全新原装 |
询价 | ||
TexasInstruments |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
TI |
24+ |
SMD |
85450 |
TI一级代理商原装进口现货 |
询价 | ||
TI |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | |||
TI |
16+ |
TO-220 |
10000 |
原装正品 |
询价 | ||
TI(德州仪器) |
2447 |
TO-220(TO-220-3) |
105000 |
50个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
询价 | ||
TI |
25+ |
TO220-3 |
1675 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 |
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