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| 60V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件:822.03 Kbytes 页数:13 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
| 60V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件:822.03 Kbytes 页数:13 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
| 采用 TO-220 封装的单路、6.3mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 这款 5.0mΩ,60V TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。脉冲持续时间 ≤ 300μs,占空比 ≤ 2% • 超低 Qg 和 Qgd\n• 低热阻\n• 雪崩额定值\n• 逻辑电平\n• 无铅端子镀层\n• 符合 RoHS 环保标准\n• 无卤素\n• 晶体管 (TO)-220 塑料封装; | TI 德州仪器 | TI | ||
| 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.9mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 这款 4.7mΩ、60V、SON 5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。 • 超低 Qg 和 Qgd\n• 低热阻\n• 雪崩额定值\n• 逻辑电平\n• 无铅引脚镀层\n• 符合 RoHS 标准\n• 无卤素\n• 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装; | TI 德州仪器 | TI | 
技术参数
- Configuration:Single 
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms):8.5 
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms):5.9 
- IDM - pulsed drain current (Max) (A):267 
- QG typ (nC):29 
- QGD typ (nC):5.4 
- Package (mm):SON5x6 
- VGS (V):20 
- VGSTH typ (V):1.9 
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A):103 
- ID - package limited (A):100 
- Logic level:Yes 
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TI | 20+ | 原厂包装 | 7500 | MOSFET  原装正品,疫情期间价格特惠 | 询价 | ||
| TI | 113+ | SON8 | 22500 | 专注TI原厂渠道 | 询价 | ||
| TI | 23+ | FBGA | 6550 | 只做原装正品现货或订货!假一赔十! | 询价 | ||
| TI | 20+ | SON8 | 6000 | 原装正品公司现货假一赔十 | 询价 | ||
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| TI原装优势 | 24+ | SON8 | 10000 | 原厂授权代理 价格绝对优势 | 询价 | 
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