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CSD18533Q5A	文件：877.68 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD18533；Package：VSONP；CSD18533Q5A 60 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Logic Level • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package 2 Applications • DC-DC Conversion • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 3 Descr 文件：877.68 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18533Q5A.B	文件：877.68 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD18533；Package：VSONP；CSD18533Q5A 60 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Logic Level • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package 2 Applications • DC-DC Conversion • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 3 Descr 文件：877.68 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18533Q5AT	文件：877.68 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD18533；Package：VSONP；CSD18533Q5A 60 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Logic Level • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package 2 Applications • DC-DC Conversion • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 3 Descr 文件：877.68 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18533Q5AT.B	文件：877.68 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD18533；Package：VSONP；CSD18533Q5A 60 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Logic Level • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package 2 Applications • DC-DC Conversion • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 3 Descr 文件：877.68 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18533KCS	文件：880.66 Kbytes Page：14 Pages	丝印：CSD18533KCS；Package：TO-220；CSD18533KCS 60V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Logic level • Pb-free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • TO-220 plastic package 2 Applications • DC-DC conversion • Secondary side synchronous rectifier • Motor control 3 Description Th 文件：880.66 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18533KCS.B	文件：880.66 Kbytes Page：14 Pages	丝印：CSD18533KCS；Package：TO-220；CSD18533KCS 60V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Logic level • Pb-free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • TO-220 plastic package 2 Applications • DC-DC conversion • Secondary side synchronous rectifier • Motor control 3 Description Th 文件：880.66 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18533KCS	文件：322.04 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 6.3mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：322.04 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
CSD18533KCS	文件：699.09 Kbytes Page：9 Pages	60-V, N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：699.09 Kbytes 页数：9 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18533Q5A	文件：1.38175 Mbytes Page：11 Pages	60-V N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：1.38175 Mbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18533Q5A	文件：822.03 Kbytes Page：13 Pages	60V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：822.03 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
8.5
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
5.9
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
267
QG typ (nC)：
29
QGD typ (nC)：
5.4
Package (mm)：
SON5x6
VGS (V)：
20
VGSTH typ (V)：
1.9
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
103
ID - package limited (A)：
100
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金芯阳科技有限公司	CSD18533Q5A	TI	20+	原厂包装	7500	MOSFET 原装正品,疫情期间价格特惠	询价
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更多CSD18533供应商更新时间2025-10-30 14:06:00

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