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型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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30V N-Channel NexFET??Power MOSFET 文件:323.25 Kbytes 页数:9 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
N-Channel NexFET Power MOSFET 文件:412.03 Kbytes 页数:13 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
30V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件:312.93 Kbytes 页数:10 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
N-Channel NexFET Power MOSFET 文件:411.77 Kbytes 页数:13 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
N-Channel NexFET Power MOSFET 文件:411.77 Kbytes 页数:13 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
N-Channel NexFET Power MOSFET 文件:411.77 Kbytes 页数:13 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
N-Channel NexFET Power MOSFET 文件:412.03 Kbytes 页数:13 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
Automotive 30-V N channel NexFET™ power MOSFET 该 30V、24mΩ、2mm x 2mm SON NexFET™功率 MOSFET 旨在用于最大程度降低功率转换应用中的 并针对 5V 栅极驱动器应用进行了优化 应用中, 2mm x 2mm SON 针对封装尺寸提供了出色的散热性能。 • 符合汽车应用 应用\r\n• 针对 5V 栅极驱动器进行了优化\r\n• 超低 Qg 和 Qgd\r\n• 低热阻\r\n• 无铅\r\n• 符合 RoHS 环保标准\r\n• 无卤素\r\n• 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装; | TI 德州仪器 | TI |
技术参数
- Configuration:
Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms):
32
- IDM - pulsed drain current (Max) (A):
20
- QG typ (nC):
2.1
- QGD typ (nC):
0.4
- Package (mm):
SON2x2
- VGS (V):
10
- VGSTH typ (V):
1.3
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A):
19
- ID - package limited (A):
5
- Logic level:
Yes
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TI |
2021+ |
SON6 |
16890 |
询价 | |||
TI |
21+ |
WSON6 |
12500 |
原装正品 深圳现货 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
22+ |
WSON6 |
57870 |
原装正品 |
询价 | ||
TI |
2016+ |
SON6 |
8971 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
TI |
24+ |
WSON6 |
5630 |
TI一级代理原厂授权渠道实单支持 |
询价 | ||
18+ROHSNEW |
SON6 |
30000 |
TI原装现货一级现货代理分销商QQ350053121 |
询价 | |||
TI |
17+ |
WSON6 |
2222 |
TI原装/深圳库存c5 |
询价 | ||
TI |
21+ |
WSON-6 |
3000 |
全新原装公司现货
|
询价 | ||
TI/德州仪器 |
24+ |
WSON6 |
42 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
TI |
23+ |
WSON-6 |
30000 |
全新原装正品 |
询价 |
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- SI7946ADP
- SE1
- PI7C8150B
- PI7C8150DNDE
- PERICOMPI7C8150
- WNS40H100C
- WNS40H100CB
- TD62308
- TD62308APG
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