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CS9N90F	文件：300 bytes Page：1 Pages	900V N-Channel Planar MOSFET	Convert 锴威特	Convert
CS9N90FA9RD	文件：300 bytes Page：1 Pages	300V-900V NMOS	CRMICRO 华润微电子	CRMICRO
CS9N90FA9RD-G	文件：300 bytes Page：1 Pages	300V-900V NMOS	CRMICRO 华润微电子	CRMICRO
FQA9N90	文件：679.15 Kbytes Page：8 Pages	900V N-Channel MOSFET Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand 文件：679.15 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQA9N90C	文件：680.52 Kbytes Page：8 Pages	900V N-Channel MOSFET Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology hasbeen especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hig 文件：680.52 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQAF9N90	文件：678.29 Kbytes Page：8 Pages	900V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with 文件：678.29 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

技术参数

Package：
TO220F-3
Polarity：
N
Technology：
HVMOS
ESDDiode：
N
FRDDiode：
N
VDS(V)：
900
ID (A)：
9
Vth(V)Typ：
3.5
RDS(ON) (mΩ)10Vtyp：
950
Qg* (nC)：
81.3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市瑞新盛科技有限公司	CS9N90F	CONVERT/锴威特	24+	TO220F-3	5000	原装正品保障优势供应	询价
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深圳博中泰实业有限公司	CS9N90F	CRMICRO/华润微	25+		20000	本公司只做全新原装正品	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	CS9N90FA9HDG	CS	23+	TO220F	6500	专注配单,只做原装进口现货	询价
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更多CS9N90F供应商更新时间2026-10-28 9:36:00

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