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CS50N20	文件：422.54 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N-Channel Power MOSFET GeneralDescription： CS50N20ANH,thesiliconN-channelEnhanced VDMOSFETs,isobtainedbytheself-alignedplanarTechnology whichreducetheconductionloss,improveswitching performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor canbeusedinvariouspowerswitchingcircuitforsys	HUAJING-MICROHUAJING MICROELECTRONICS 华润微电子华润微电子有限公司	HUAJING-MICRO
CS50N20ANH	文件：422.54 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N-Channel Power MOSFET GeneralDescription： CS50N20ANH,thesiliconN-channelEnhanced VDMOSFETs,isobtainedbytheself-alignedplanarTechnology whichreducetheconductionloss,improveswitching performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor canbeusedinvariouspowerswitchingcircuitforsys	HUAJING-MICROHUAJING MICROELECTRONICS 华润微电子华润微电子有限公司	HUAJING-MICRO
FLX50N20	文件：109.45 Kbytes Page：2 Pages	HighVoltagePowerSupplies	TDKTDK Corporation TDK株式会社东电化（中国）投资有限公司	TDK
IIXTA50N20P	文件：614.28 Kbytes Page：6 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=60mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC/DCConverter ·Ldealforhigh-frequencyswitchingand synchronousrectification	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH50N20	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH50N20	文件：104.03 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH50N20	文件：371.45 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=45mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFM50N20	文件：275.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=45mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFM50N20	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFM50N20	文件：104.03 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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