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HM3N80	文件：956.28 Kbytes Page：10 Pages	SiliconN-ChannelPowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
ISC3N80F	文件：323.52 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=3.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.0Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFA3N80	文件：100.19 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs Features ●Internationalstandardpackage ●LowRDS(on) ●RatedforunclampedInductiveload Switching(UIS) Advantages ●Easytomount ●Spacesavings ●Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFA3N80	文件：333.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=3.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFP3N80	文件：100.19 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs Features ●Internationalstandardpackage ●LowRDS(on) ●RatedforunclampedInductiveload Switching(UIS) Advantages ●Easytomount ●Spacesavings ●Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFP3N80	文件：295.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andPFCCircuits..	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KF3N80D	文件：394.03 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELD GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforLEDLightingandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=800V,ID=2.7A •Drain-S	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF3N80D	文件：394.03 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforLEDLightingandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=800V,ID=2.7A •Drain-S	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF3N80D/I	文件：394.03 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforLEDLightingandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=800V,ID=2.7A •Drain-S	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF3N80DI	文件：394.03 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforLEDLightingandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=800V,ID=2.7A •Drain-S	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC

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