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KF3N80D	文件：394.03 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL MOS FIELD General Description This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for LED Lighting and switching mode power supplies. FEATURES • VDSS= 800V, ID= 2.7A • Drain-S 文件：394.03 Kbytes 页数：6 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KF3N80D	文件：394.03 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR General Description This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for LED Lighting and switching mode power supplies. FEATURES • VDSS= 800V, ID= 2.7A • Drain-S 文件：394.03 Kbytes 页数：6 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KF3N80D/I	文件：394.03 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR General Description This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for LED Lighting and switching mode power supplies. FEATURES • VDSS= 800V, ID= 2.7A • Drain-S 文件：394.03 Kbytes 页数：6 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KF3N80DI	文件：394.03 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR General Description This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for LED Lighting and switching mode power supplies. FEATURES • VDSS= 800V, ID= 2.7A • Drain-S 文件：394.03 Kbytes 页数：6 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KF3N80DSLASHI	文件：394.03 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR General Description This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for LED Lighting and switching mode power supplies. FEATURES • VDSS= 800V, ID= 2.7A • Drain-S 文件：394.03 Kbytes 页数：6 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KF3N80D_15	文件：394.03 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：394.03 Kbytes 页数：6 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KF3N80D	文件：300 bytes Page：1 Pages	Planar MOSFETs, DPAK(1), 800V, 2.7A • Fast switching time\n• Low on resistance and gate charge\n• Suitable for using switching mode power supplies.;	KEC 开益禧	KEC

技术参数

AEC-Q：
N
Package：
DPAK(1)
Polarity：
N
BVDSS [V]：
800
ID [A]：
2.7
PD [W]：
69.4
RDS(ON) @10V[Ω]：
4.2
Qg [nC]：
12
Vth_Min[V]：
2.5
Vth_MAX[V]：
4.5
Ciss[pF]：
520
ESD DIODE：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	KF3N80D	KEC/开益禧	25+	TO-252	20300	KEC/开益禧原装特价KF3N80D即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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