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KF3N80D	文件：394.03 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL MOS FIELD GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforLEDLightingandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=800V,ID=2.7A •Drain-S	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF3N80D	文件：394.03 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforLEDLightingandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=800V,ID=2.7A •Drain-S	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF3N80D/I	文件：394.03 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforLEDLightingandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=800V,ID=2.7A •Drain-S	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
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KF3N80DSLASHI	文件：394.03 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforLEDLightingandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=800V,ID=2.7A •Drain-S	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF3N80D_15	文件：394.03 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF3N80F	文件：1.28967 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •IsolatedCentralMountingHole •FastSwitching •EaseofParalleling •SimpleDriveRequirements •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
KF3N80F	文件：390.07 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=800V,ID	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF3N80I	文件：394.03 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforLEDLightingandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=800V,ID=2.7A •Drain-S	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KSM3N80	文件：1.74786 Mbytes Page：6 Pages	800VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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