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CS20N65W	文件：300 bytes Page：1 Pages	Planar MOSFET	Convert 锴威特	Convert
FIR20N65AFG	文件：2.68488 Mbytes Page：8 Pages	Low Intrinsic Capacitances 文件：2.68488 Mbytes 页数：8 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
FIR20N65FG	文件：8.63665 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：8.63665 Mbytes 页数：10 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
GB20N65FS	文件：1.38001 Mbytes Page：9 Pages	650V/20A Field Stop IGBT Features 650V 20A,VCE(sat)(typ.) = 1.80 V@20A Field Stop IGBT Technology. 10μs Short Circuit Capability. Square RBSOA. Positive VCE (on) Temperature Coefficient. Benefits High Efficiency for Motor Control. Rugged Performance. Excellent Current Sharing in Parallel Operation 文件：1.38001 Mbytes 页数：9 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG

技术参数

Package：
TO247-3
Polarity：
N
Technology：
HVMOS
ESDDiode：
N
FRDDiode：
N
VDS(V)：
650
ID (A)：
20
Vth(V)Typ：
3.5
RDS(ON) (mΩ)10Vtyp：
350
Qg* (nC)：
136

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