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CS20N60V	文件：300 bytes Page：1 Pages	平面MOSFET	Convert 锴威特	Convert
MGP20N60U	文件：120.01 Kbytes Page：6 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor Insulated Gate Bipolar Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced termination scheme to provide an enhanced and reliable high voltage–blocking capability. It also provides fast switching charac teristics and results in efficie 文件：120.01 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MGP20N60U	文件：120.68 Kbytes Page：5 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor Insulated Gate Bipolar Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced termination scheme to provide an enhanced and reliable high voltage–blocking capability. It also provides low on–voltage which results in efficient operation at 文件：120.68 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MGW20N60D	文件：246.08 Kbytes Page：6 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is co–packaged with a soft recovery ultra–fast rectifier and uses an advanced termination scheme to provide an enhanced and reliable high voltage–blocking capability. Short circuit rated IGBT’s are specifically suited for applications requiring a guara 文件：246.08 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA

技术参数

Package：
TO3P
Configuration：
single
Type：
N
ESD Diode：
No
FRD Diode：
No
VDS(V)：
600
VGS(±V)：
30
ID* (A) @25°C：
20
RDS(ON) (mΩ)* atVGS=10Vtyp：
320
RDS(ON) (mΩ)* atVGS=10Vmax：
400
VGS(th) (V)min：
3
VGS(th) (V)max：
4
Ciss (pF)：
2521
Coss (pF)：
264
Crss (pF)：
35
Qg* (nC)：
76
Qgd (nC)：
32
Trr (ns)：
733
Qrr (uC)：
6.5

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