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AW3112	文件：1.24052 Mbytes Page：12 Pages	30V/3AlowsaturationPNPtrIpoleintegratedwithNMOSFET	AWINICAWINIC 艾为	AWINIC
AW3112DNR	文件：1.24052 Mbytes Page：12 Pages	30V/3AlowsaturationPNPtrIpoleintegratedwithNMOSFET	AWINICAWINIC 艾为	AWINIC
BA3112	文件：121.4 Kbytes Page：3 Pages	MonolithicIGs MonolithicIGs ICsforAudioApplications •CDAmplifiers •Low-Frequency,Small-SignalAmplifiers	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
C3112	文件：73.72 Kbytes Page：1 Pages	TYPECMP/CL3P ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	GENERALGeneral Electric 通用电气公司美国通用电气公司	GENERAL
CBC3112	文件：212.56 Kbytes Page：1 Pages	AmbiqAM1803RTCPowerBackupwithEnerChipBattery	CYMBETCymbet Corporation Cymbet Corporation	CYMBET
CBC3112	文件：202.48 Kbytes Page：1 Pages	MicrochipMDP79410RTCPowerBackupwithEnerChipBattery	CYMBETCymbet Corporation Cymbet Corporation	CYMBET
CBC3112	文件：288.94 Kbytes Page：3 Pages	EnerChipCCBackupPowerforEpsonRX-8564Real-TimeClock	CYMBETCymbet Corporation Cymbet Corporation	CYMBET
CBC3112	文件：1.04547 Mbytes Page：16 Pages	EnerChipCCwithIntegratedPowerManagement	CYMBETCymbet Corporation Cymbet Corporation	CYMBET
CBC3112	文件：205.64 Kbytes Page：1 Pages	EpsonRX-8564RTCPowerBackupwithEnerChipBattery	CYMBETCymbet Corporation Cymbet Corporation	CYMBET
CEB3112	文件：523.69 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED3112	文件：441.18 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,45A,RDS(ON)=11mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=15mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEF3112	文件：523.69 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM3112	文件：426.43 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,11.9A,RDS(ON)=11mW@VGS=10V. RDS(ON)=15mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP3112	文件：523.69 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU3112	文件：441.18 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,45A,RDS(ON)=11mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=15mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEZC3112	文件：946.09 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,37.8A,RDS(ON)=9.7mW@VGS=10V. RDS(ON)=14mW@VGS=4.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Pb-freeleadplating;RoHScompliant. HalogenFree.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CPH3112	文件：54.05 Kbytes Page：5 Pages	DC/DCConverterApplications DC/DCConverterApplications Features •AdoptionofMBITprocesses. •Highcurrentcapacitance. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. •Ultrasmall-sizedpackagepermittingappliedsetstobemadesmallandslim(0.9mm). •Highallowablepowerdissipation. Applications •Relaydriv	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
DMN3112S	文件：185.07 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •LowOn-Resistance: ◾57mΩ@VGS=10V ◾112mΩ@VGS=4.5V •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMN3112S	文件：144.85 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features •LowOn-Resistance: 57mΩ@VGS=10V 112mΩ@VGS=4.5V •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHigh	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
DMN3112SSS	文件：194.07 Kbytes Page：4 Pages	SINGLEN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features •LowOn-Resistance •57mΩ@VGS=10V •112mΩ@VGS=4.5V •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note2) •GreenDevice(Note4) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHi	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES

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详细参数

型号：
CM3112
制造商：
CALMIRCO
制造商全称：
California Micro Devices Corp
功能描述：
150mA/1.2V CMOS LDO Regulator

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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