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厂商型号

CED3112

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

441.18 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

CET-MOS

中文名称

华瑞

网址

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数据手册

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更新时间

2026-2-1 14:06:00

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CED3112规格书详情

FEATURES

30V, 45A, RDS(ON) = 11mW @VGS = 10V.

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-251 & TO-252 package.

RoHS compliant.

RDS(ON) = 15mW @VGS = 4.5V.

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