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TDA8510	文件：82.88 Kbytes Page：16 Pages	26WBTLand2x13WSEpoweramplifiers	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
TDA8510J	文件：82.88 Kbytes Page：16 Pages	26WBTLand2x13WSEpoweramplifiers	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
TPCP8510	文件：218.37 Kbytes Page：5 Pages	TransistorSiliconNPNEpitaxialType High-Speed,High-VoltageSwitchingApplications DC-DCConverterApplications •HighDCcurrentgain:hFE=120to300(IC=0.1A) •Lowcollector-emittersaturation:VCE(sat)=0.14V(max) •High-speedswitching:tf=0.2μs(typ)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCP8510	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TS8510VB	文件：87.85 Kbytes Page：4 Pages	SpecificationofHighPowerIREmittingDiodeChip	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TS8510VB	文件：88.89 Kbytes Page：4 Pages	SpecificationofHighPowerIREmittingDiodeChip DESCRIPTION TS8510VBisahighpowerinfrared,855nmsurfaceemitting diodeinGaAlAstechnologywithhighradiantpowerand highspeed.Polarityconfigurationis“n-up”.  GENERALINFORMATION ThedatasheetisbasedonVishayoptoelectronicssampletestingundercertainpredeterminedanda	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TS8510VB	文件：89.42 Kbytes Page：4 Pages	SpecificationofHighPowerIREmittingDiodeChip DESCRIPTION TS8510VBisahighpowerinfrared,855nmsurfaceemitting diodeinGaAlAstechnologywithhighradiantpowerand highspeed.Polarityconfigurationis“n-up”. FEATURES •Packagetype:chip •Packageform:singlechip •Technology:surfaceemitter •Dimensionschip(LxWxH	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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UFR8510	文件：123.36 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFASTRECOVERYRECTIFIER	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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产品属性

产品编号：
CHL8510CRT
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10.8V ~ 13.2V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，1V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
3A，4A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
21ns，18ns
工作温度：
0°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
10-VFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
10-DFN（3x3）
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CHL8510CRT供应商更新时间2025-5-9 17:11:00

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