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CHL8510CRT

驱动配置:半桥 负载类型:MOSFET 电源电压:10.8V~13.2V 峰值灌电流:4A 峰值拉电流:3A

文件:448.172 Kbytes 页数:15 Pages

Infineon

英飞凌

PDF上传者:深圳市亚泰盈科电子有限公司

CHL8510CRT

丝印:8510;Package:DFN-103x3;12V High Performance Gate Driver

文件:689.62 Kbytes 页数:15 Pages

IRF

CHL8510CRT

Package:10-VFDFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN

Infineon

英飞凌

DP8510

BITBLT PROCESSING UNIT

文件:45.31 Kbytes 页数:1 Pages

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

EDAC8510

EDAC85x0 - Series

Product Description Brackets for cage nut mounting of PDU's into E-Serie Cabinets.

文件:206.31 Kbytes 页数:1 Pages

BELDEN

百通

H8510

Heyco® Nylon Conduit Fittings - Straight-Thru

文件:144.65 Kbytes 页数:1 Pages

Heyco

产品属性

  • 产品编号:

    CHL8510CRT

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    同步

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10.8V ~ 13.2V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,1V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    3A,4A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    21ns,18ns

  • 工作温度:

    0°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    10-VFDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    10-DFN(3x3)

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN

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更多CHL8510CRT供应商 更新时间2025-10-4 16:36:00