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NX8510UD	文件：843.57 Kbytes Page：11 Pages	LASERDIODE 1470TO1610nmFORCWDM2.5Gb/s InGaAsPMQW-DFBLASERDIODETOSA DESCRIPTION TheNX8510UDisa1470to1610nmMultipleQuantumWell(MQW) structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodeTOSA(transmitteroptical sub-assembly)withInGaAsmonitorPIN-PDinareceptacletypepackage	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NX8510UD	文件：354.89 Kbytes Page：6 Pages	NECsInGaAsPMQW-DFBTOSAFOR2.5Gb/sCWDMAPPLICATIONS	CEL California Eastern Labs	CEL
NX8510UD-AZ	文件：354.89 Kbytes Page：6 Pages	NECsInGaAsPMQW-DFBTOSAFOR2.5Gb/sCWDMAPPLICATIONS	CEL California Eastern Labs	CEL
NX8510UDSeries	文件：208.24 Kbytes Page：9 Pages	1550nmFORLONGHAUL2.5Gb/sInGaAsPMQW-DFBLASERDIODETOSA	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
OPA8510CDD	文件：220.06 Kbytes Page：1 Pages	InfraredLEDChip	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
OPA8510HPR	文件：102.51 Kbytes Page：1 Pages	InfraredLEDChip	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
PBSS8510PA	文件：290.47 Kbytes Page：16 Pages	100V,5.2ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistor,encapsulatedinanultrathinSOT1061leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithmediumpowercapability. PNPcomplement:PBSS9410PA. Featuresandbenefits ■Lowcollector-emittersaturatio	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PM-8510	文件：292.81 Kbytes Page：12 Pages	10/100Base-TXISOLATIONTRANSFORMERSWITHFILTERS	PMI Premier Magnetics, Inc.	PMI
PMB8510P	文件：1.58788 Mbytes Page：32 Pages	DC/DCregulatorInput8.3-16VOutput16A ThePMBseriesofSILDC/DCregulators(POL)areintendedtobeusedaslocaldistributedpowersourcesindistributedpowerarchitecture.Thesinglein-linedesignmakesthePMBseriessuitableforapplicationswhereboardspaceislimited.ThehighefficiencyandhighreliabilityofthePMBserie	EricssonEricsson Microelectronics 爱立信爱立信公司	Ericsson
PMC8510S	文件：1.79525 Mbytes Page：34 Pages	DC/DCregulatorInput8.3-16VOutput16A	EricssonEricsson Microelectronics 爱立信爱立信公司	Ericsson

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产品属性

产品编号：
CHL8510CRT
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10.8V ~ 13.2V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，1V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
3A，4A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
21ns，18ns
工作温度：
0°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
10-VFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
10-DFN（3x3）
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN

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更多CHL8510CRT供应商更新时间2025-5-5 14:14:00

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