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CGHV59350F数据手册开发板套件编程器的射频评估开发套件开发板规格书PDF

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厂商型号

CGHV59350F

参数属性

CGHV59350F 包装为散装;类别为开发板套件编程器的射频评估开发套件开发板;产品描述:TEST FIXTURE FOR CGHV59350F

功能描述

350 W; 5200 to 5900-MHz; 50-Ohm Input/Output-Matched; GaN HEMT

制造商

MACOM Tyco Electronics

中文名称

玛科姆技术方案控股有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 14:40:00

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CGHV59350F规格书详情

描述 Description

5.2 – 5.9 GHz Operation470 W Typical Output Power 10.7 dB Power Gain 60% Typical Drain Efficiency 50 Ohm Internally Matched <0.3 dB Pulsed Amplitude Droop

特性 Features

• 5.2 – 5.9 GHz Operation
•470 W Typical Output Power
•10.7 dB Power Gain
•60% Typical Drain Efficiency
•50 Ohm Internally Matched
•<0.3 dB Pulsed Amplitude Droop

应用 Application

• C-Band Radar amplifiers

技术参数

  • 制造商编号

    :CGHV59350F

  • 生产厂家

    :MACOM

  • Peak Output Power Range

    :300 - 399 W

  • Frequency Range

    :4 - 18 GHz

  • Technology

    :GaN on SiC

  • Frequency (Min)

    :5.2 GHz

  • Frequency (Max)

    :5.9 GHz

  • Peak Output Power

    :350 W

  • Gain

    :11 dB

  • Efficiency

    :55%

  • Operating Voltage

    :50 V

  • Form

    :Packaged Discrete Transistor

  • Package Type

    :Flange

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