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CGH40045F数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

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厂商型号

CGH40045F

参数属性

CGH40045F 封装/外壳为440193;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:RF MOSFET HEMT 28V 440193

功能描述

45-W RF Power GaN HEMT

封装外壳

440193

制造商

MACOM Tyco Electronics

中文名称

玛科姆技术方案控股有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 19:37:00

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CGH40045F规格书详情

描述 Description

Up to 4 GHz Operation 16 dB Small Signal Gain at 2.0 GHz 12 dB Small Signal Gain at 4.0 GHz 55 W Typical PSAT 55% Efficiency at PSAT 28 V Operation

特性 Features

• Up to 4 GHz Operation
•16 dB Small Signal Gain at 2.0 GHz
•12 dB Small Signal Gain at 4.0 GHz
•55 W Typical PSAT
•55% Efficiency at PSAT
•28 V Operation

应用 Application

• 2-Way Private Radio
•Broadband Amplifiers
•Cellular Infrastructure
•Test Instrumentation
•Class A; AB; Linear amplifiers suitable for OFDM; W-CDMA; EDGE; CDMA waveforms

技术参数

  • 制造商编号

    :CGH40045F

  • 生产厂家

    :MACOM

  • Peak Output Power Range

    :25 - 49 W

  • Frequency Range

    :General Purpose

  • Technology

    :GaN on SiC

  • Frequency (Min)

    :DC

  • Frequency (Max)

    :4 GHz

  • Peak Output Power

    :45 W

  • Gain

    :12 dB\>>12 dB

  • Efficiency

    :55%

  • Operating Voltage

    :28 V

  • Form

    :Packaged Discrete Transistor

  • Package Type

    :Flange

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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