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CGH35060F2数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF
CGH35060F2规格书详情
描述 Description
Wolfspeed’s CGH35060F2/P2 is a gallium-nitride (GaN) high-electron-mobility transistor (HEMT) designed specifically for high-efficiency; high-gain and wide-bandwidth capabilities; which makes the CGH35060F2/P2 ideal for 3.1 – 3.5-GHz; S-band; pulsed-amplifier applications. The transistor is supplied in a ceramic/metal flange and pill package.
特性 Features
• 3.1 - 3.5 GHz Operation
•60 W Peak Power Capability
•12 dB Small Signal Gain
•60% Drain Efficiency
应用 Application
• S-band Pulsed Amplifiers
技术参数
- 制造商编号
：CGH35060F2
- 生产厂家
：MACOM
- Peak Output Power Range
：50 - 99 W
- Frequency Range
：2.7 - 4 GHz
- Technology
：GaN on SiC
- Frequency (Min)
：3.1 GHz
- Frequency (Max)
：3.5 GHz
- Peak Output Power
：60 W
- Gain
：12 dB
- Efficiency
：60%
- Operating Voltage
：28 V
- Form
：Packaged Discrete Transistor
- Package Type
：Flange
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