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CGH35240F-AMP中文资料240-W; 3100 – 3500-MHz; 50-ohm Input/Output-Matched; GaN HEMT for S-Band Radar Systems数据手册MACOM规格书
CGH35240F-AMP规格书详情
描述 Description
3.1 – 3.5 GHz Operation 240 W Typical Output Power 11.6 dB Power Gain at PIN = 42.0 dBm 57% Typical Power Added Efficiency 50 Ohm Internally Matched <0.2 dB Pulsed Amplitude Droop
特性 Features
• 3.1 – 3.5 GHz Operation
•240 W Typical Output Power
•11.6 dB Power Gain at PIN = 42.0 dBm
•57% Typical Power Added Efficiency
•50 Ohm Internally Matched
•<0.2 dB Pulsed Amplitude Droop
应用 Application
• S-Band Radar Amplifiers
技术参数
- 制造商编号
：CGH35240F-AMP
- 生产厂家
：MACOM
- 新设计推荐？
：Yes
- 技术
：GaN on SiC
- 频率（最小值）
：3.1 GHz
- 频率（最大值）
：3.5 GHz
- 峰值输出功率
：240 W
- 增益
：11.6 dB
- 效率
：57%
- 工作电压
：28 V
- 类型
：Packaged Discrete Transistor
- 封装类型
：Flange
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