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CET4435A	文件：893.3 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V,-8.8A,RDS(ON)=24mW@VGS=-10V. RDS(ON)=35mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-223package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CET451AN	文件：494.19 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ●30V,7.2A,RDS(ON)=35mW@VGS=10V.RDS(ON)=50mW@VGS=4.5V. ●HighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SOT-223Package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CET453N	文件：495.44 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■30V,8A,RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=42mΩ@VGS=4.5V. ■HighdensecelldesignforlowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■SOT-223Package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CET6426	文件：409.86 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■60V,4.5A,RDS(ON)=90mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=110mΩ@VGS=4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CET6601	文件：391.17 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■-60V,-4.3A,RDS(ON)=86mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=125mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CET6601	文件：601.18 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V,-4.3A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-223package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CET6601A	文件：504.34 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V,-4.4A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-223package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CET6861	文件：392.58 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■-60V,-3.5A,RDS(ON)=130mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=170mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CET6961	文件：502.37 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V,-4.1A,RDS(ON)=110mW@VGS=-10V. RDS(ON)=150mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-223package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CET9435A	文件：503.35 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET

详细参数

型号：
CET
制造商：
CET
制造商全称：
Chino-Excel Technology
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市河锋鑫科技有限公司	CET04N10	CET/華瑞	19+	SOT-223	300000	原装正品可含税交易	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	CET04N10	CET/華瑞	25+	SOT-223	156762	明嘉莱只做原装正品现货	询价
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更多CET供应商更新时间2025-7-26 17:26:00

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