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CET0215	文件：623.64 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■150V,2A,RDS(ON)=440mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=580mΩ@VGS=6V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■SOT-223package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CET04N10	文件：397.36 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■100V,3A,RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=280mΩ@VGS=6V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CET3055	文件：487.74 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ●60V,4A,RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V. ●HighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SOT-223Package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CET3055L	文件：494.66 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ●60V,3.7A,RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=120mΩ@VGS=4.5V. ●HighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SOT-223Package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CET3133	文件：641.27 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V,-10A,RDS(ON)=19mW@VGS=-10V. RDS(ON)=29mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-223package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CET3252	文件：396.54 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■30V,8A,RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=45mΩ@VGS=4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CET4301	文件：735.2 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■-40V,-6.3A,RDS(ON)=44mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=68mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CET4401B	文件：387.2 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■-40V,-4.9A,RDS(ON)=57mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=85mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CET4435A	文件：148.76 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■-30V,-8.8A,RDS(ON)=24mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=35mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CET4435A	文件：1.00549 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel 35 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitches,AdaptorSwitch -NotebookPCs	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
CET
制造商：
CET
制造商全称：
Chino-Excel Technology
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	CET04N10	CET/華瑞	25+	SOT-223	33947	CET/華瑞全新特价CET04N10即刻询购立享优惠#长期有货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	CET04N10	CET/華瑞	19+	SOT-223	300000	原装正品可含税交易	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	CET04N10	CET/華瑞	25+	SOT-223	156762	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市一线半导体有限公司	CET04N10	CET	24+	SOT-23	110000		询价
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深圳市拓亿芯电子有限公司	CET04N10	CET	23+	SOT223	15000	全新原装现货,价格优势	询价

更多CET供应商更新时间2025-7-26 11:31:00

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