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CY2305C	文件：546.02 Kbytes Page：17 Pages	3.3VZeroDelayClockBuffer	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
DMG2305UX	文件：442.85 Kbytes Page：6 Pages	LowOn-Resistance Description ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON)),yetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features ●LowOn-Resistance ●LowInputCapacitance ●FastSwitchingSpeed Applications ●Backl	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMG2305UXQ	文件：410.5 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMG2305UXQ	文件：414.25 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMG2305UXQ	文件：2.67243 Mbytes Page：5 Pages	-20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET Description toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. TheusesadvancedtrenchtechnologyDMG2305UXQ GeneralFeatures VDS=-20VID=-4.9A RDS(ON)	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
DMP2305U	文件：134.18 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features •LowOn-Resistance ◾60mΩ@VGS=-4.5V ◾90mΩ@VGS=-2.5V ◾113mΩ@VGS=-1.8V •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Not	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP2305U	文件：220.89 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features •LowOn-Resistance •60mΩ@VGS=-4.5V •90mΩ@VGS=-2.5V •113mΩ@VGS=-1.8V •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Not	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
DMP2305UVT	文件：205.99 Kbytes Page：8 Pages	20VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Description ThisnewgenerationMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •LowInputCapacitance •LowOn-Resistance •FastSwitchingSpee	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMS2305(SI2305DS)(1)	文件：364.976 Kbytes Page：2 Pages		ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 PDF上传者：深圳市登辰易科技有限公司	ETC
DO2305	文件：2.05186 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER

技术参数

BVDSS(V)：
-30/
Rds(on)mΩ@10V：
52/
Rds(on)mΩ@4.5V：
60/
Rds(on)mΩ@2.5V：
85/
ID(A)：
-4/
Qg(nC)@4.5V(typ)：
7.7/
RθJC(℃/W)：
100
Pd(W)：
1.25
Configuration：
Single
Polarity：
P

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市盈慧通电子有限公司	CES2305A	CET/華瑞	2511	SOT-23	360000	电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价	询价
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更多CES2305A供应商更新时间2025-7-28 15:52:00

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