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DMP2305UVT	文件：205.99 Kbytes Page：8 Pages	20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • Low Input Capacitance • Low On-Resistance • Fast Switching Spee 文件：205.99 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP2305UVT-13	文件：205.99 Kbytes Page：8 Pages	20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • Low Input Capacitance • Low On-Resistance • Fast Switching Spee 文件：205.99 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP2305UVT-7	文件：205.99 Kbytes Page：8 Pages	20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • Low Input Capacitance • Low On-Resistance • Fast Switching Spee 文件：205.99 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP2305UVT_15	文件：205.99 Kbytes Page：8 Pages	20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：205.99 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP2305UVT-13	文件：205.99 Kbytes Page：8 Pages	20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：205.99 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP2305UVT-7	文件：205.99 Kbytes Page：8 Pages	20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：205.99 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
P
ESD Diodes：
No
VDS：
20 V
VGS：
8 ±V
IDS @ TA = +25°C：
4.23 A
PD @ TA = +25°C：
1.64 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
60 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
90 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
113 mΩ
VGS (th) Max：
0.9 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
7.6 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
TSOT26

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