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CES2331	文件：1.05083 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CES2331	文件：484.18 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -20V,-4.2A,RDS(ON)=48mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=60mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. Leadfreeproductisacquired. RDS(ON)=78mW@VGS=-1.8V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CES2331A	文件：431.8 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -20V,-4.3A,RDS(ON)=42mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=55mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. RoHScompliant. RDS(ON)=75mW@VGS=-1.8V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CES2336	文件：641.16 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■60V,1.8A,RDS(ON)=250mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=330mΩ@VGS=4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CES2342	文件：407.57 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■40V,4.2A,RDS(ON)=45mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=58mΩ@VGS=4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CES2362	文件：428.79 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■60V,3A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=100mΩ@VGS=4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CES2362	文件：1.035329 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Available •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •BatterySwitch •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CES2363	文件：437.89 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V,-2.5A,RDS(ON)=125mW@VGS=-10V. RDS(ON)=150mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CES-26138-16L030	文件：391.64 Kbytes Page：5 Pages	SPEAKER FEATURES •1.2Wratedpower •6ohmratedimpedance •30mmleadwire	CUID CUI Devices	CUID
CES-2704-088L050	文件：446.1 Kbytes Page：5 Pages	SPEAKER FEATURES •0.8Wratedpower •lowprofile •50mmleadwire •wireleadswithconnectoroptions	CUID CUI Devices	CUID

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详细参数

型号：
CES
制造商：
SIIG
功能描述：
7.1 Channel USB Audio Sound Card
功能描述：
USB 7.1 SOUNDCARD BLACK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市福田区亿兴成电子商行	CES	ADI/亚德诺		SOT23-6	6698		询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	CES3890	ESS	23+	QFP	2870	绝对全新原装!现货!特价!请放心订购!	询价
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深圳市粤科源兴科技有限公司	CES48120-6	COSEL	13+	DC-DC	1333	原装分销	询价
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更多CES供应商更新时间2025-7-13 8:01:00

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