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CES-231210-18PM	文件：751.05 Kbytes Page：5 Pages	SPEAKER FEATURES •8ohmratedimpedance •1.0Wratedpower •panelmount	CUID CUI Devices	CUID
CES2313	文件：392.14 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■-30V,-3.6A,RDS(ON)=60mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=90mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CES2313A	文件：415.02 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■-30V,-3.8A,RDS(ON)=55mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=86mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CES2314	文件：145.53 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■30V,4A,RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=70mΩ@VGS=4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CES2314	文件：1.85575 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CES2315	文件：754.28 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V,-4A,RDS(ON)=50mW@VGS=-10V. RDS(ON)=85mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. RoHScompliant	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CES2316	文件：147.38 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■30V,4.8A,RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=50mΩ@VGS=4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CES2317	文件：396.52 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■-30V,-3.1A,RDS(ON)=80mW@VGS=-10V. RDS(ON)=90mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=120mW@VGS=-2.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■SOT-23package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CES2317	文件：398.36 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V,-3.1A,RDS(ON)=80mW@VGS=-10V. RDS(ON)=90mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. Lead-freeplating;RoHScompliant. RDS(ON)=120mW@VGS=-2.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CES2320	文件：391.04 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■30V,5.2A,RDS(ON)=29mΩ(typ)@VGS=10V. RDS(ON)=45mΩ(typ)@VGS=4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET

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详细参数

型号：
CES
制造商：
SIIG
功能描述：
7.1 Channel USB Audio Sound Card
功能描述：
USB 7.1 SOUNDCARD BLACK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市福田区亿兴成电子商行	CES	ADI/亚德诺		SOT23-6	6698		询价
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