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CES2321	文件：108.64 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■-20V,-3.8A,RDS(ON)=55mΩ@VGS=-4.5V. RDS(ON)=80mΩ@VGS=-2.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CES2321	文件：1.04091 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CES2321	文件：364.85 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -20V,-3.8A,RDS(ON)=55mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=62mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CES2321A	文件：371.03 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■-20V,-3.8A,RDS(ON)=55mΩ@VGS=-4.5V. RDS(ON)=75mΩ@VGS=-2.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■SOT-23package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CES2321A	文件：620.99 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -20V,-3.8A,RDS(ON)=55mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=75mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CES2321B	文件：438.71 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -20V,-3.9A,RDS(ON)=52mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=72mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CES2323	文件：254.08 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■-30V,-4.1A,RDS(ON)=48mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=80mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CES2324	文件：459.22 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■20V,4.2A,RDS(ON)=45mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=80mΩ@VGS=2.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CES2324	文件：1.88314 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters •LoadSwitchforPortableApplications	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CES2331	文件：394.76 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■-20V,-4.2A,RDS(ON)=48mΩ@VGS=-4.5V. RDS(ON)=60mΩ@VGS=-2.5V. RDS(ON)=78mΩ@VGS=-1.8V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET

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详细参数

型号：
CES
制造商：
SIIG
功能描述：
7.1 Channel USB Audio Sound Card
功能描述：
USB 7.1 SOUNDCARD BLACK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市福田区亿兴成电子商行	CES	ADI/亚德诺		SOT23-6	6698		询价
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